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IRG4BC20K-S especificación: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
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IRG4BC20K-S especificación: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
Fabricante : IR
Embalaje : DDPak
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 178 KB
Aplicación : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A