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BUZ901DP especificación: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 200V.
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BUZ901DP especificación: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 200V.
Fabricante : Magnatec
Embalaje : TO-3PBL
Pins : 3
Temperatura : Min 0 °C | Max 150 °C
Tamaño : 42 KB
Aplicación : N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 200V.