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El Último de datos en PDF Hexawave

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HWS306 GaAs MMIC SPDT switch
HWC34NC 12 W C-band power FET non-via hole chip
HWS301 GaAs MMIC SPDT switch
HWS303 GaAs MMIC SPDT switch
HWL30YRA 6 W L-band GaAs power FET
HWL34NC 12 W L-band power FET non-via hole chip
HWF1687RA 7.5 W L-band GaAs power FET
HWL34YRF 12 W L-band GaAs power FET
HWL26NPA 2 W L-band GaAs power FET
HWF1682RA 20 W L-band GaAs power FET
HWS2352 GaAs MMIC SPDT terminated switch
HWC27YC 3.5 W C-band power FET via hole chip
HWL34YRA 12 W L-band GaAs power FET
HWL30NPA 2.8 W L-band GaAs power FET
HWS305 GaAs MMIC SPDT switch
HWL30YRF 6 W L-band GaAs power FET
HWL27YRA 3.5 W L-band GaAs power FET
HWL27NC 3.5 W L-band power FET via hole chip
HWF1686NC 3.5 W L-band power FET non-via hole chip
HWL26YC 1.7 W L-band power FET via hole chip
HWL23NPB 0.7 W L-band GaAs power FET
HWL36YRA 15 W L-band GaAs power FET
HWL32NPA 2.8 W L-band GaAs power FET
HWS332 GaAs MMIC SPDT terminated switch
HWL32NPA 2.8 W L-band GaAs power FET
HWS332 GaAs MMIC SPDT terminated switch
HWL36YRF 15 W L-band GaAs power FET
HWC27NC 3.5 W C-band power FET non-via hole chip

Hexawave perfil

Hexawave, Inc. was established in 1991 with the goal of serving the rapidly growing wireless communication industry. The company is dedicated to developing, manufacturing, and marketing a wide range of GaAs based RF products. Headquartered in Hsinchu Science-Based industrial Park, the high-tech center of Taiwan, Hexawave has a 35,000 square ft. facility, which includes a class 100 GaAs wafer fab line, assembly and testing facility.

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