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IRFB260N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.040 Ohm, ID = 56A
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IRFB260N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.040 Ohm, ID = 56A
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 98 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.040 Ohm, ID = 56A