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IXTN21N100 especificación: 600V high voltage megaMOS FET
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IXTN21N100 especificación: 600V high voltage megaMOS FET
Fabricante : IXYS
Embalaje : SOT-227B
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 150 KB
Aplicación : 600V high voltage megaMOS FET