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AD645JN especificación: 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters
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AD645JN especificación: 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters
Fabricante : ADI
Embalaje : DIP
Pins : 8
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Tamaño : 489 KB
Aplicación : 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters