DB4 especificación: Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.

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DB4
- Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.

DB4 Datasheet y Espec

Embalaje : DO-35

Pins : 2

Temperatura : Min -40 °C | Max 110 °C

Tamaño : 118 KB

Aplicación : Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 40 V. Repetitive peak in-state current 2.0 A.