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BS817 especificación: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
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BS817 especificación: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
Fabricante : Diodes
Embalaje : SOT-23
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 63 KB
Aplicación : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor