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BSS123W especificación: 100V; 170mA N-channel enchancement mode field effect transistor
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BSS123W especificación: 100V; 170mA N-channel enchancement mode field effect transistor
Fabricante : Diodes
Embalaje : SOT-323
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 73 KB
Aplicación : 100V; 170mA N-channel enchancement mode field effect transistor