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DR210G especificación: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
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DR210G especificación: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
Fabricante : EIC
Embalaje : D2
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 175 °C
Tamaño : 42 KB
Aplicación : 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier