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ECF10N25 especificación: N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
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ECF10N25 especificación: N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
Fabricante : EXICON
Embalaje : TO3
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 70 KB
Aplicación : N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.