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GS816018T-200 especificación: 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM
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GS816018T-200 especificación: 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM
Fabricante : GSI
Embalaje : TQFP
Pins : 100
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Tamaño : 863 KB
Aplicación : 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM