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GS8170DW18C-300I especificación: 300MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM
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GS8170DW18C-300I especificación: 300MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM
Fabricante : GSI
Embalaje : BGA
Pins : 209
Temperatura : Min -40 °C | Max 85 °C
Tamaño : 996 KB
Aplicación : 300MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM