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IRF360 especificación: HEXFET transistor thru-hole. VDSS = 400V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 25A
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IRF360 especificación: HEXFET transistor thru-hole. VDSS = 400V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 25A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-3
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 152 KB
Aplicación : HEXFET transistor thru-hole. VDSS = 400V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 25A