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IRF3711S especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 6.0 mOhm, ID = 110A
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IRF3711S especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 6.0 mOhm, ID = 110A
Fabricante : IR
Embalaje : DDPak
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 269 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 6.0 mOhm, ID = 110A