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IRF7467 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 12mOhm, ID = 11A
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IRF7467 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 12mOhm, ID = 11A
Fabricante : IR
Embalaje : SO
Pins : 8
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 125 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 12mOhm, ID = 11A