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IRF7507 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 0.135 Ohm @ N-Ch. VDSS = -20V, RDS (on) = 0.27 Ohm @ P-Ch.
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IRF7507 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 0.135 Ohm @ N-Ch. VDSS = -20V, RDS (on) = 0.27 Ohm @ P-Ch.
Fabricante : IR
Embalaje : Micro8
Pins : 8
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 237 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 20V, RDS(on) = 0.135 Ohm @ N-Ch. VDSS = -20V, RDS (on) = 0.27 Ohm @ P-Ch.