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IRF7706 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.
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IRF7706 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.
Fabricante : IR
Embalaje : TSSOP
Pins : 8
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 167 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.