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IRF7809AV especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 30V, RDS(on) = 7.0mOhm
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IRF7809AV especificación: HEXFET power MOSFET. VDS = 30V, RDS(on) = 7.0mOhm
Fabricante : IR
Embalaje : SO
Pins : 8
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 125 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDS = 30V, RDS(on) = 7.0mOhm