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IRF7811W especificación: HEXFET power MOSFET for DC-DC converter. VDS = 30V, RDS(on) = 9.0mOhm
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IRF7811W especificación: HEXFET power MOSFET for DC-DC converter. VDS = 30V, RDS(on) = 9.0mOhm
Fabricante : IR
Embalaje : SO
Pins : 8
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 160 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET for DC-DC converter. VDS = 30V, RDS(on) = 9.0mOhm