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IRF9530N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = -14A
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IRF9530N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = -14A
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 124 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = -14A