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IRF9Z24NS especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -55V, RDS(on) = 0.175 Ohm, ID = -12A
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IRF9Z24NS especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -55V, RDS(on) = 0.175 Ohm, ID = -12A
Fabricante : IR
Embalaje : DDPak
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 184 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = -55V, RDS(on) = 0.175 Ohm, ID = -12A