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IRFB9N30A especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A
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IRFB9N30A especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 150 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A