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IRFP23N50L especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.190 Ohm, ID = 23A, Trr = 170ns.
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IRFP23N50L especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.190 Ohm, ID = 23A, Trr = 170ns.
Fabricante : IR
Embalaje : TO-247AC
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 114 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.190 Ohm, ID = 23A, Trr = 170ns.