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IRFP250N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A
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IRFP250N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-247AC
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 134 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A