Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFP260N
IRFP260N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200 V, RDS(on) = 0.04 Ohm, ID = 50 A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFP260N
IRFP260N especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200 V, RDS(on) = 0.04 Ohm, ID = 50 A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-247AC
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 134 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200 V, RDS(on) = 0.04 Ohm, ID = 50 A