Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFP27N60K
IRFP27N60K especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600 V, RDS(on) = 180 mOhm, ID = 27 A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFP27N60K
IRFP27N60K especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600 V, RDS(on) = 180 mOhm, ID = 27 A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-247AC
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 100 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600 V, RDS(on) = 180 mOhm, ID = 27 A