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IRFR9110 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A
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IRFR9110 especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A
Fabricante : IR
Embalaje : TO-252AA
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 189 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A