Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFS59N10D
IRFS59N10D especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRFS59N10D
IRFS59N10D especificación: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A
Fabricante : IR
Embalaje : DDPak
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Tamaño : 151 KB
Aplicación : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A