Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRGBC30F
IRGBC30F especificación: Insulated gate bipolar transistor
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > IR Datasheet > IRGBC30F
IRGBC30F especificación: Insulated gate bipolar transistor
Fabricante : IR
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 270 KB
Aplicación : Insulated gate bipolar transistor