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IXFN100N10S3 especificación: 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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IXFN100N10S3 especificación: 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
Fabricante : IXYS
Embalaje : SOT-227B
Pins : 4
Temperatura : Min -40 °C | Max 150 °C
Tamaño : 108 KB
Aplicación : 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes