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BUZ271 especificación: P-channel SIPMOS power transistor
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BUZ271 especificación: P-channel SIPMOS power transistor
Fabricante : Infineon
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 141 KB
Aplicación : P-channel SIPMOS power transistor