Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > JGD Datasheet > 1N5518B
1N5518B especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 3.3 V. Test current 20 mAdc. +-5% tolerance.
Path:OKDatasheet > Datasheet Semiconductor > JGD Datasheet > 1N5518B
1N5518B especificación: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 3.3 V. Test current 20 mAdc. +-5% tolerance.
Fabricante : JGD
Embalaje : DO-35
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 200 °C
Tamaño : 267 KB
Aplicación : 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 3.3 V. Test current 20 mAdc. +-5% tolerance.