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BC261 especificación: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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BC261 especificación: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Fabricante : Micro Electronics
Embalaje : TO-18
Pins : 3
Temperatura : Min -65 °C | Max 200 °C
Tamaño : 103 KB
Aplicación : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor