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J111 especificación: 35V N-channel silicon junction field effect transistor
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J111 especificación: 35V N-channel silicon junction field effect transistor
Fabricante : Micro Electronics
Embalaje :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 125 °C
Tamaño : 49 KB
Aplicación : 35V N-channel silicon junction field effect transistor