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MPS6512S especificación: 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
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MPS6512S especificación: 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor
Fabricante : Micro Electronics
Embalaje : TO-92A
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 49 KB
Aplicación : 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor