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MTP3N100E especificación: TMOS E-FET power field effect transistor
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MTP3N100E especificación: TMOS E-FET power field effect transistor
Fabricante : Motorola
Embalaje :
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 226 KB
Aplicación : TMOS E-FET power field effect transistor