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MTP4N50E especificación: TMOS E-FET high energy power FET
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MTP4N50E especificación: TMOS E-FET high energy power FET
Fabricante : Motorola
Embalaje :
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 279 KB
Aplicación : TMOS E-FET high energy power FET