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NDL7408P1K especificación: 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
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NDL7408P1K especificación: 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
Fabricante : NEC
Embalaje :
Pins : 4
Temperatura : Min -40 °C | Max 85 °C
Tamaño : 393 KB
Aplicación : 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode