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NTE2102 especificación: Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
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NTE2102 especificación: Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
Fabricante : NTE Electronic
Embalaje : DIP
Pins : 16
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Tamaño : 30 KB
Aplicación : Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.