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NTE213 especificación: Germanium PNP transistor. High power, high gain amplifier.
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NTE213 especificación: Germanium PNP transistor. High power, high gain amplifier.
Fabricante : NTE Electronic
Embalaje : TO36
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 110 °C
Tamaño : 25 KB
Aplicación : Germanium PNP transistor. High power, high gain amplifier.