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MGP11N60E especificación: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
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MGP11N60E especificación: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
Fabricante : ON Semiconductor
Embalaje : TO-220
Pins : 3
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 131 KB
Aplicación : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel