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VTE1113 especificación: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 15 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.
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VTE1113 especificación: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 15 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.
Fabricante : PerkinElmer
Embalaje : TO-46
Pins : 2
Temperatura : Min -55 °C | Max 125 °C
Tamaño : 27 KB
Aplicación : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 15 mW/cm2 at distance 36 mm, diameter 6.4 mm.