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VTE3324LA especificación: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
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VTE3324LA especificación: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
Fabricante : PerkinElmer
Embalaje : T-1
Pins : 2
Temperatura : Min -40 °C | Max 100 °C
Tamaño : 24 KB
Aplicación : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).