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BUT12AF especificación: 1000 V, silicon diffused power transistor
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BUT12AF especificación: 1000 V, silicon diffused power transistor
Fabricante : Philips
Embalaje : SOT
Pins : 3
Temperatura : Min 0 °C | Max 0 °C
Tamaño : 85 KB
Aplicación : 1000 V, silicon diffused power transistor