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PHB3N50E especificación: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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PHB3N50E Datasheet y Espec
Fabricante : Philips
Embalaje : SOT
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 85 KB
Aplicación : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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