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PHX8ND50E especificación: PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.
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PHX8ND50E especificación: PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.
Fabricante : Philips
Embalaje : SOT186A
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamaño : 82 KB
Aplicación : PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.