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  • F1040
    • 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1040 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF 

Embalaje :  

Pins : 8 

Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C

Tamaño : 35 KB

Aplicación : 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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