F1058 especificación: 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 similares

F1058
- 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 Datasheet y Espec

Fabricante : Polyfet RF

Embalaje :

Pins : 4

Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C

Tamaño : 41 KB

Aplicación : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor