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F1066 especificación: 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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F1066 especificación: 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Fabricante : Polyfet RF
Embalaje :
Pins : 8
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Tamaño : 42 KB
Aplicación : 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor